Central(中央半导体) 芯片规格书大全

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中央半导体GaN n沟道场效应管在高压和低r(DS(ON))方面表现出色，使其成为高效软开关应用的理想选择。中央半导体GaN场效应管有100V (60A)， 650V (11A)和650V (17A)版本。这些器件可用于实际的表面贴装、芯片级封装和裸晶片。

特性

高压能力(650V)

低栅极电荷和r(DS(ON))(低至3.2毫欧)

高效、快速切换

节省空间的DFN和CSP

也可作为裸模

最小的功率损耗传导

高频开关能力

无反向回收损失

应用程序

无线充电(大功率)

国防/航空航天

医疗保健

消费者

功率因数校正(PFC)

电动汽车逆变器

维图